1986年，MO源作為前驅體核心材料納入國家高技術發展計劃。
2000年，南大光電成立，MO源成功實現產業化，成功打破“巴統”和國外公司的技術壟斷，并在“神舟”飛船、“東4”大衛星平臺系列衛星等航天器的太陽能電池上成功得到運用。
2016 年，承接國家“02-專項”，現已建成具備合成、純化、分析、封裝等功能的ALD前驅體研發中心和生產線，完全滿足相關芯片產品的制造要求。
2017年11月，引入陶氏化學的高K三甲基鋁生產線，2020年10月正式投產，在開發高端半導體的進程中，扮演關鍵材料供應商的重要市場角色。 2020年12月，跨國并購杜邦集團19項專利資產組，6項技術屬于全球首創技術，一舉邁入國際領先的前驅體材料企業行列。
2013年，獲得國家“02-專項”高純特種電子氣體研發與產業化項目支持。
2016年，經過3年的技術開發，成功實現了國內30年未能解決的高純砷烷、磷烷等特種電子氣體的研發和產業化難題，一舉打破了國外技術封鎖和壟斷，為我國極大規模集成電路制造提供了核心原材料。
目前，砷烷品質己達到7N，技術居全球前列，產能躍居全球第一，并進入國際一流公司供應鏈。磷烷的技術水平也已居全球前列，產能為全球第二。
2019年8月，南大光電成功并購飛源氣體，開始布局氟系列電子特氣。依托南大光電客戶、機制和技術優勢，進行60多項技術創新，迅速提升產能、品質，降低成本，二年實現三氟化氮產能4000噸、六氟化硫產能3000噸，成本全球領先，產能國內第二、全球第三。
一是擴展現有高純磷烷、高純砷烷氫類電子特氣，進軍氟系、硅系和硼系特種氣體；
二是持續開發先進純化工藝、先進吸附劑及負壓安全吸附技術以及特種氣體廢氣處理材料，提升電子特氣產品純度，尤其7N級別高純磷烷砷烷、5N級別BF3等高端領域的應用；
三是 “123”新奮斗目標：在內蒙古打造一個世界級的氟硅電子材料基地，實現“綠色能源+綠色制造”，以“雙綠”躋身世界；培養三個世界單項冠軍。
2017年，公司承接國家“02-專項”高分辨率光刻膠產品關鍵技術的研究項目，達到光刻膠基礎配方分辨率相關技術節點要求和項目原定的技術指標要求，得到了“02-專項”項目驗收專家組的高度認可。
2018年，02重大專項實施管理辦公室決定由我司承擔193nm浸沒式光刻膠產品開發和產業化項目，向我國真正擁有ArF光刻膠產品的方向繼續邁進。
2019年底，公司在寧波市北侖區完成了第一條光刻膠生產線建設，產能達到10噸/年的規模， 第二條光刻膠生產線于2020年完成建設，總產能達到25噸/年。同時在國家重大科技攻關項目的支持下，向光刻膠配套原材料領域展開技術攻關。
2020年4月，成為中國首個購買ASML 193nm浸沒式光刻機的電子材料企業。
2020年底和2021年5月，193nm ArF光刻膠先后通過存儲和邏輯兩家芯片制造企業的驗證，為量產打下了堅實基礎，成為國內首個通過驗證的ArF光刻膠產品，ArF光刻膠研發和產業化取得關鍵性突破，被列為國家攻克“卡脖子”工程的標桿。
2021年建黨100周年前夕，順利通過國家“02-專項”驗收。
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